中國在這個領域仍明顯落后,但韓國已感到巨大威脅(2)

報道稱,業界普遍認為,目前中國存儲芯片的技術水平比韓國落后3-5年。雖然如此,中國的半導體追擊依然是引發需求激增的半導體行業出現“價格觸頂”爭議的主要原因。

報道稱,目前中國計劃批量生產的存儲芯片與韓國產品的需求層并不相同。比如說,中國YMTC(長江存儲)宣布將在明年批量生產的半導體屬于32層3D Nand閃存,這是三星電子和SK海力士從2014年開始批量生產的產品,目前兩家企業基本已經不再生產這種產品。目前三星和SK海力士生產的主力產品是64-72層3D Nand閃存,與中國企業拉開了巨大的技術差距。Nand閃存用來增加電路的“層數”越多,就需要越高的技術水平,即使同樣“層數”的產品,也根據技術水平分為多個級別。三星電子2012年推出20納米級(2y)DRAM產品后,直到5年后的2017年11月才開始批量生產下一級別的第二代10納米級DRAM產品。

在Nand閃存領域,三星電子已經開始為批量生產第六代(120層以上)產品做準備。

不過,雖然目前還擁有巨大的技術差距,但韓國半導體行業一致認為,中國的技術發展速度對韓國半導體行業產生了巨大威脅。報道認為,如果中國正式開始大批量供應半導體產品,半導體的價格必然會出現下降。全球市場研究公司DRAMeXchange預計,明年DRAM的價格將比今年下降15%-20%,Nand閃存的價格將會下降25%-30%之多。漢陽大學融合電子工程系樸在勤教授表示,“雖然需求群體并不相同,但由于心理因素等的影響,價格下滑將不可避免”。

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中國在這個領域仍明顯落后,但韓國已感到巨大威脅(2)

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責任編輯:張薇

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